图片仅供参考,产品以实物为准
规格书 |
MBRM120E |
包装 | 2Power Mite |
类型 | Schottky Diode |
配置 | Single |
峰值反向重复电压 | 20 V |
峰值平均正向电流 | 1 A |
峰值反向电流 | 10 uA |
峰值正向电压 | 0.595@2A V |
峰值不重复浪涌电流 | 50 A |
工作温度 | -65 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
正向电压下降 | 0.595 V at 2 A |
产品 | Schottky Diodes |
工作温度范围 | - 65 C to + 150 C |
正向连续电流 | 1 A |
最大反向漏泄电流 | 10 uA |
峰值反向电压 | 20 V |
安装风格 | Screw |
封装 | Reel |
最大浪涌电流 | 50 A |
封装/外壳 | POWERMITE |
RoHS | RoHS Compliant |
电流 - Vr时反向漏电 | 500nA @ 5V |
安装类型 | * |
电压 - 正向(Vf) (最大) | 595mV @ 2A |
电压 - ( Vr)(最大) | 20V |
供应商设备封装 | * |
电流 - 平均整流(Io ) | 1A |
工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
二极管类型 | Schottky |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 3000 |
系列 | MBRM120E |
If - Forward Current | 1 A |
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage | 20 V |
Ir - Reverse Current | 10 uA |
品牌 | ON Semiconductor |
Vf - Forward Voltage | 0.595 V at 2 A |
身高 | 1.15 mm |
Ifsm - Forward Surge Current | 50 A |
长度 | 2.18 mm |
最低工作温度 | - 65 C |
最高工作温度 | + 150 C |
技术 | Si |
NRVBM120ET1G也可以通过以下分类找到
NRVBM120ET1G相关搜索
咨询QQ
热线电话